英飞凌 MOSFET 新添 PQFN 双面冷却 25-150V 产品组合

未来电力电子系统的设计不断进化，追求先进的效能和功率密度。为满足这项趋势，英飞凌在 25-150V 等级产品中推出全新源极底置 3.3 x 3.3mm² PQFN 系列，包括有底部冷却 (BSC) 和双面冷却 (DSC) 两个版本。

新产品系列从元件层级加以大幅强化，提供极为吸引人的 DC-DC 电源转换解决方案，为伺服器、电信、OR-ing、电池保护、电动工具、充电器应用的系统创新开启了崭新的可能性。

新产品组合结合了英飞凌最新的 MOSFET 技术与最先进的封装，将系统效能提升到新层次。在源极底置 (SD) 概念中，MOSFET 晶粒源极接点翻转朝向封装的底面，然后焊接到 PCB。此外，此概念还包含改善晶片顶部的汲极接点设计，以及领先市场的晶片封装面积比。

随着系统外形尺寸不断缩小，有两项关键因素至关重要：减少功率损耗和最佳化散热管理。与同级最佳的 PQFN 3.3 x 3.3m² 汲极向下装置相比，新系列的导通电阻 (RDS(on)) 大幅改善了 25%。

英飞凌的 OptiMOS™ 源极底置 PQFN 具有双面冷却功能，可提供强化的热介面，将功率损耗从开关转移到散热器。双面冷却版本用最直接的方式将电源开关连接到散热器，与对应的底部冷却源极底置版本相比，功率消耗能力提高多达三倍。

两种不同的封装版本均为 PCB 布线带来最佳的弹性。传统的标准闸极版本可快速轻松地修改现有的汲极向下设计。中心闸极 (CG) 版本为并联装置开辟全新可能性，将驱动器到闸极间的连接尽可能地缩至最短。整个 OptiMOS™ 源极底置 PQFN 3.3 x 3.3mm² 25-150V 产品系列皆拥有高达 298A 的卓越连续电流能力，能使系统发挥最高效能。

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