英飞凌汽车级 CoolMOS™ CFD7A

CoolMOS™ CFD7A 简介

CoolMOS™ CFD7A 兼容最高 475V DC 系统电压。按照开尔文源极，它可达到更高的效率水平，效率高达 98.4%。凭借其固有的快速体二极管和采用 TO 和 SMD 封装的丰富产品系列，CFD7A 器件非常适用于 PFC 和 DC-DC 级。

该产品系列支持较低栅极损耗以达到更高的开关频率，实现更高功率密度，确保设计上更紧凑。此外，这种新型 CoolMOS™ 技术平台经过量身定制，能满足恶劣的汽车应用环境需求，尤其是在宇宙辐射和设计鲁棒性方面。宇宙辐射问题从开发过程一开始就得以应对，并得到了实验结果的证明。

CoolMOS™ CFD7A 特性

SMT 封装、THT 封装
最大工作温度：TjMax=150°C
RDS(on)：22mΩ - 230mΩ
硬开关和软开关拓扑效率提升高达 98.4%
远超 AEC-Q101 标准的卓越品质

图1 CoolMOS™ CFD7A 特性

什么是 CoolMOS™ MOSFET CFD7A？

CoolMOS™ MOSFET CFD7A 可将效率提升到更高水平，改善了硬开关和谐振开关的拓扑结构，尤其是在轻负荷条件下具有较大改进，令效率更上一层楼。与之前几代产品相比，CFD7A 器件在相同栅极损耗的水平下可实现更高的开关频率；此组合极具前景，是 CFD7A 能够减轻系统重量、占用更少空间、实现更紧凑设计的关键因素。

CoolMOS™ CFD7A 封装规格

RDS(on)	TO-247-3	TO-2203	TO-263-3	TO-263-7
35mΩ	IPW65R035CFD7A	/	/	/
50mΩ	IPW65R050CFD7A	IPP65R050CFD7A	IPB65R050CFD7A	IPBE65R050CFD7A
75mΩ	IPW65R075CFD7A	/	/	IPBE65R075CFD7A
99mΩ	IPW65R099CFD7A	IPP65R099CFD7A	IPB65R099CFD7A	IPBE65R099CFD7A
115mΩ	IPW65R115CFD7A	IPP65R115CFD7A	IPB65R115CFD7A	IPBE65R115CFD7A
230mΩ	/	/	IPBE65R230CFD7A	IPBE65R230CFD7A

目标应用

车载充电器的 DC-DC 级
车载充电器的 PFC 升压级
硬开关拓扑 (带 SiC 二极管)
HV-LV DC-DC 转换器
LLC 或移相全桥 (ZVS)
辅助电源

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