英飞凌推出业界首款符合太空标准的并行接口1 Mb 和 2 Mb F-RAM，扩大其抗辐射存储器产品组合

英飞凌 F-RAM 存储器具有固有的抗辐射性能，该技术非常适合满足太空应用不断发展的任务要求，而这些应用历来使用的是速度较慢、不太坚固的 EEPROM 非易失性存储器。与同类产品相比，英飞凌产品的特点包括：更快的存储器随机存取速度；通过采用即时非易失性写入技术提高数据安全性；低功耗、极低的编程电压 (低至 2V) 以及 20mA 最大工作电流。

英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员 Helmut Puchner 表示：

随着越来越多的太空应用被设计成在系统端处理数据，而不是通过遥测技术将数据传输到地面进行处理，因此对高可靠性非易失性存储器的需求会不断增加，以配合太空级处理器与 FPGA 实现数据记录应用。英飞凌于 2022 年在该市场推出了首款 SPI F-RAM 存储器。此次推出并行接口存储器体现了我们致力于为新一代太空需求提供一流的、高度可靠且灵活的解决方案。

英飞凌抗辐射 F-RAM 存储器的目标应用包括传感器与仪器的数据存储、校准数据的数据记录、适用于数据加密的安全密钥存储，以及启动代码存储等。除外太空应用，这款存储器还适用于航空电子等应用的温度要求 (-55°C 至 125°C)。

与 SPI 版本一样，英飞凌新推出的并行接口 F-RAM 存储器通过其化学成分获得了出色的非易失性存储器特性，例如用原子态瞬时切换取代了 EEPROM 技术中的捕获电荷至程序位。F-RAM 本身不受软错误、磁场或辐射效应影响，且无需软件来管理页面边界。其接近无限的耐用性 (1013 个写入周期) 意味着不需要损耗均衡。

该并行存储器采用 44 引线陶瓷 TSOP 封装并且通过 QML-V 认证，具有出色的抗辐射性能：

• TID：>150 Krad (硅）
• SEL：>96 MeV·cm 2/mg @115°C
• SEU：免疫
• SEFI：<1.34 * 10-4 每日误差 / 偏差 (激活/待机) / 免疫 (睡眠模式)

抗辐射 F-RAM 非易失性存储器产品组合现已全面上市，包括 2Mb SPI 存储器以及 1Mb 和 2Mb 并行存储器。更多产品信息，可点击此处访问。

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