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英飞凌适合 CoolSiC™ MOSFET 的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC

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EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 简介

英飞凌的 CoolSiC™ MOSFET 1200V 系列可通过隔离式栅极输出轻松控制,推荐使用基于英飞凌核心平衡技术的 EiceDRIVER™ 电隔离栅极驱动器 IC。EiceDRIVER™ 栅极驱动器具备了驱动碳化硅 MOSFET 所需的重要功能和参数,包括出色的传播延迟匹配、精准的输入滤波器、宽范围的输出侧电源、负栅极电压驱动能力、强共模瞬态抑制能力、有源米勒钳位、DESAT 保护功能等。

 

英飞凌提供 500 多种 EiceDRIVER™ 栅极驱动器解决方案。本文将介绍适合碳化硅 MOSFET 的产品,在实操中也可以根据应用选择 EiceDRIVER™ 栅极驱动器,如隔离或开关器件。

EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 特性

  • 有源米勒钳位
  • 短路钳位,主动关断
  • 精确的退饱和 (DESAT) 保护
  • 适用于在高环境温度下工作
  • 12V / 11V 典型的 UVLO 阈值  
  • 可选的 8 毫米爬电距离的宽体封装
  • ≥ 100 kV/μs CMTI (1EDU20I12SV: ≥ 50 kV/μs CMTI )
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图1 EiceDRIVER™ SiC MOSFET 栅极驱动器 IC

作为 EiceDRIVER™ 栅极驱动器,英飞凌提供卓越的产品系列,包括电隔离栅极驱动器、符合汽车标准的栅极驱动器、200V/500-700V 和 1200V 电平转换栅极驱动器以及非隔离低侧驱动器。EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供了丰富且先进的功能,包括集成自举二极管 (BSD)、过流保护 (OCP)、停机关断、故障报告、使能、输入过滤器、OPAMP 、DESAT保护、可编程的死区时间、直通短路保护、有源米勒钳位、有源关断、独立的拉电流和灌电流输出引脚、短路电流钳位、软关断、两电平关断和电气隔离 (功能/基本/增强隔离) 等等。

EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品阵容

产品型号峰值驱动电流(典型值)VCC2-VEE2UVLO 阈值(典型值) 传输延迟(典型值)

米勒钳
1EDC/1LED微型隔离式高压侧驱动器系列1EDI20I12MF 3.5A20V11.9V / 11V≦ 300ns
1EDC20H12AH3.5A35V12V / 11.1V≦ 125ns×
1EDC60H12AH

9.4A35V12V / 11.1V≦ 125ns×
1EDC20I12MH

3.5A20V11.9V / 11V

≦ 300ns
1ED-F2内置保护的隔离式高压侧驱动器1ED020I12-F22.0A28V12V / 11.1V

≦ 170ns
2ED-F2隔离式双侧驱动器,带内置保护功能2ED020I12-F22.0A28V12V / 11.1V

≦ 170ns
1EDU Slew Rate Control (SRC) 隔离式高压侧驱动器

1EDU20I12SV2.0A28V11.9V / 11V≦ 170ns

EVAL-1EDC20H12AH-SIC 评估板

  • 名称:EVAL-1EDC20H12AH-SIC
  • 栅极驱动器:1EDC20H12AH
  • SiC MOSFET:IMZ120R045M1
  • 电路板尺寸:85mm x 55mm x 30mm

 

欲了解更多信息,请查阅评估板数据手册

图2 EVAL-1EDC20H12AH-SIC 评估板1.png
图2 EVAL-1EDC20H12AH-SIC 评估板

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